[发明专利]一种高效多晶黑硅电池无效
| 申请号： | 201410730326.X | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN104505430A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 汪巍 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 213164江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高效多晶黑硅电池，用浓度为50％的氢氟酸溶液50mL，浓度为60％的硝酸溶液23mL，以及浓度为30％的双氧水溶液15mL，使三者溶液混合均匀；用上述混合溶液对基片进行浸泡，浸泡时间为10-15s，去除表面机割损伤层；取浓度为45％的氢氧化钠溶液30mL清洗表面污染物，然后用去离子水对基片进行清洗，氮气吹干，最后进行等离子水浸没离子注入制备高效多晶黑硅电池，最后检测出平均光电转换效率为18.12％，部分电池片的效率为18.46％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 多晶 电池 | ||
【主权项】：
一种高效多晶黑硅电池，其特征在于:(1)用浓度为50％的氢氟酸溶液50mL，浓度为60％的硝酸溶液23mL，以及浓度为30％的双氧水溶液15mL，使三者溶液混合均匀；(2)用上述混合溶液对基片进行浸泡，浸泡时间为10‑15s，去除表面机割损伤层；(3)取浓度为45％的氢氧化钠溶液30mL清洗表面污染物，然后用去离子水对基片进行清洗，氮气吹干，最后进行等离子水浸没离子注入制备高效多晶黑硅电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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