[发明专利]反应腔室和半导体加工设备

摘要

本发明提供一种反应腔室和一种半导体加工设备，所述反应腔室包括具有第一入气口和第一排气口的腔体，所述腔体内设置有基座和隔热罩，所述隔热罩将所述腔体内的空间分隔为反应子腔和隔离子腔，所述反应子腔设置有贯穿所述隔热罩的第二入气口和贯穿所述隔热罩的第二排气口，所述基座设置在所述反应子腔内，所述反应腔室还包括凸起结构，所述凸起结构的上表面凸出于所述腔体的底壁，所述隔热罩的底部支撑在所述凸起结构上，且所述隔热罩的底部与所述凸起结构相接触的面积小于所述隔热罩的底部面积，以使得所述隔热罩的底部的至少一部分与所述腔体的底壁分离。本发明能够提高基座周围温度场的均匀性。

主权项

1.一种反应腔室，包括具有第一入气口和第一排气口的腔体，所述腔体内设置有基座和隔热罩，所述隔热罩将所述腔体内的空间分隔为反应子腔和隔离子腔，所述反应子腔设置有贯穿所述隔热罩的第二入气口和贯穿所述隔热罩的第二排气口，所述基座设置在所述反应子腔内，其特征在于，所述反应腔室还包括凸起结构，所述凸起结构的上表面凸出于所述腔体的底壁，所述隔热罩的底部支撑在所述凸起结构上，且所述隔热罩的底部与所述凸起结构相接触的面积小于所述隔热罩的底部面积，以使得所述隔热罩的底部的至少一部分与所述腔体的底壁分离，所述隔热罩至少包括隔热顶壁和设置在隔热顶壁两侧的隔热侧壁，且所述隔热顶壁设置于所述腔体的顶壁与所述基座之间。