[发明专利]非挥发性存储单元及其制作方法在审
申请号: | 201410733497.8 | 申请日: | 2014-12-04 |
公开(公告)号: | CN105655338A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 张原祥;陈艺夫;杨建军;张志谦 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种非挥发性存储单元及其制作方法,该非挥发性存储单元包含一基底、一抹除栅,设在基底上且具有一平坦顶面、两浮置栅,分别设在抹除栅两侧、两控制栅,分别设在两浮置栅上、以及两选择栅,分别设在两浮置栅外侧,其中该两选择栅具有倾斜的顶面且相互对称。 | ||
搜索关键词: | 挥发性 存储 单元 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种非挥发性存储单元,包含:基底;两堆叠结构,设在该基底上,其中各该堆叠结构包含浮置栅以及控制栅位于该浮置栅上;抹除栅,设在该基底上且位于该两堆叠结构之间,其中该抹除栅具有平坦顶面;以及两选择栅,分别设在该两堆叠结构外侧,其中该两选择栅具有倾斜的顶面且相互对称。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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