[发明专利]双薄膜晶体管及其制造方法

摘要

一种双薄膜电晶体管及其制造方法，该双薄膜晶体管包含第一半导体层、栅极、第二半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层、第一源极、第一漏极、第二源极及第二漏极。第一半导体层设置于基材上。栅极设置于第一半导体层上。第二半导体层设置于栅极上，第一半导体层及第二半导体层为同一导电型。第一绝缘层设置于第一半导体层与栅极之间。第二绝缘层设置于栅极与第二半导体层之间。第一源极及第一漏极设置于基材与第二绝缘层之间，第一半导体层接触第一源极的一部分及第一漏极的一部分。第二源极及第二漏极设置于第二绝缘层上，第二半导体层接触第二源极的一部分及第二漏极的一部分。本发明还公开了该双薄膜电晶体管的制造方法。

主权项

一种双薄膜晶体管，其特征在于，包含：一第一半导体层，设置于一基材上；一栅极，设置于该第一半导体层上；一第二半导体层，设置于该栅极上，其中该第一半导体层及该第二半导体层为同一导电型；一第一绝缘层，设置于该第一半导体层与该栅极之间；一第二绝缘层，设置于该栅极与该第二半导体层之间；一第一源极及一第一漏极，设置于该基材与该第二绝缘层之间，且该第一半导体层接触该第一源极的一部分及该第一漏极的一部分；以及一第二源极及一第二漏极，设置于该第二绝缘层上，且该第二半导体层接触该第二源极的一部分及该第二漏极的一部分。