[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410734499.9 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105712289B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 伏广才;李志超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 应战,骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括提供基底；在所述基底表面牺牲层；在所述牺牲层内形成凹槽，暴露出部分基底的表面；形成填充满所述凹槽并覆盖牺牲层表面的金属层；去除位于牺牲层表面的金属层，形成金属焊垫；去除牺牲层，暴露出基底的表面。所述方法可以避免在形成金属焊垫的过程中，对基底表面造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面牺牲层；在所述牺牲层内形成凹槽，暴露出部分基底的表面；形成填充满所述凹槽并覆盖牺牲层表面的金属层；去除位于牺牲层表面的金属层，形成金属焊垫，形成金属焊垫的方法包括：在所述金属层表面形成掩膜层，所述掩膜层位置与凹槽位置对应；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述金属层，去除位于牺牲层表面的金属层；去除牺牲层，暴露出基底的表面。
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