[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201410734541.7 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105719954B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 周祖源;诸海丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成牺牲图形；采用沉积设备，在所述牺牲图形和衬底上沉积侧墙材料层，刻蚀所述侧墙材料层，在所述牺牲图形侧壁形成侧墙；以所述侧墙为硬掩膜，刻蚀所述衬底，形成半导体图形。采用沉积设备在所述牺牲图形和衬底上沉积侧墙材料层，在所述沉积侧墙材料层的过程中，所述沉积设备的输出射频功率在第一功率和第二功率间切换，所述第一功率和第二功率的频率不同。能够使侧墙材料层内部产生的拉伸应力和压缩应力部分相互抵消，从而在刻蚀侧墙材料层形成侧墙之后，侧墙中的总体应力较小，不容易发生变形。以所述侧墙为掩膜形成半导体图形的特征尺寸更小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成牺牲图形；采用沉积设备在所述牺牲图形和衬底上沉积侧墙材料层，在所述沉积侧墙材料层的过程中，所述沉积设备的输出射频功率在第一功率和第二功率间切换，所述第一功率和第二功率的频率不同，所述第一功率的频率大于第二功率的频率，所述沉积侧墙材料层的过程包括第一沉积和第二沉积；在第一沉积中，所述输出功率为第一功率的时间占所述第一沉积工艺总时间的比例在40％到50％之间；在第二沉积中，所述输出功率为第一功率的时间占所述第二沉积工艺总时间的比例在90％到100％之间；刻蚀所述侧墙材料层，在所述牺牲图形侧壁形成侧墙；去除所述牺牲图形；以所述侧墙为掩膜刻蚀所述衬底，形成半导体图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
