[发明专利]SRAM存储器和形成SRAM存储器的方法

摘要

一种SRAM存储器的版图及存储器的形成方法，所述SRAM存储器的版图包括：第一版图，所述第一版图包括N1个第一鳍部图形，N2个第二鳍部图形，且N2>N1，所述第一版图分为第一区域和第二区域；第二版图，包括第一栅极图形和第二栅极图形；第三版图，包括若干覆盖图形，所述覆盖图形与待形成SRAM存储器结构对应，当上拉晶体管的鳍部数量为n1、下拉晶体管的鳍部数量为n2，传输晶体管的鳍部数量为n3时，所述覆盖图形适于覆盖第一区域N1个第一鳍部图形、第一区域的N2‑n3个第二鳍部图形、第二区域的N2‑n2个第二鳍部图形、第二区域的N1‑n1个第一鳍部图形。上述方法可以降低SRAM存储器的成本。

主权项

1.一种SRAM存储器，其特征在于，包括：第一版图，所述第一版图包括相邻的第一图形和第二图形，其中，第一图形包括N1个平行排列的第一鳍部图形，第二图形包括N2个平行排列的第二鳍部图形，且N2>N1，所述第一版图沿第一鳍部图形和第二鳍部图形的长度方向分为第一区域和第二区域，位于第一区域的第二鳍部图形对应于传输晶体管的鳍部，位于第二区域的第二鳍部图形对应于下拉晶体管的鳍部，位于第二区域的第一鳍部图形对应于上拉晶体管的鳍部，所述传输晶体管、下拉晶体管和上拉晶体管均为鳍式场效应晶体管；第二版图，包括两条平行排列的第一栅极图形和第二栅极图形，第一栅极图形适于形成传输晶体管的栅极，第二栅极图形适于形成下拉晶体管和上拉晶体管的栅极；第三版图，包括若干覆盖图形，所述覆盖图形与待形成SRAM存储器结构对应，其中，当上拉晶体管需要的鳍部数量为n1、下拉晶体管需要的鳍部数量为n2，传输晶体管需要的鳍部数量为n3时，所述覆盖图形适于覆盖位于第一区域的N1个第一鳍部图形、位于第一区域的N2‑n3个第二鳍部图形、位于第二区域的N2‑n2个第二鳍部图形、以及位于第二区域的N1‑n1个第一鳍部图形，被覆盖的第一鳍部图形和第二鳍部图形对应于需要被去除的鳍部。