[发明专利]一种高深宽比介质纳米结构和半导体材料的制作方法在审
| 申请号： | 201410734929.7 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN105717752A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张瑞英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种高深宽比介质纳米结构和半导体异质材料的制作方法，该纳米结构的制作采用微缩投影式曝光在位于衬底上的介质膜表面形成纳米级分辨率图案，然后将该图案转移到介质膜上，形成具有高深宽比的介质纳米结构，所述介质纳米结构的深宽比大于1。相比于其它图案化技术，该方法形成图案是以光刻版图案为单元，通过编程步进控制实现大面积单元重复，因此，图案一致性好、成图速度快、可实现大面积、且图案灵活可控，与半导体工艺生产模式相兼容，因此，该衬底图案化技术有助于将基于深宽比位错捕获技术的异质外延推向工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高深 介质 纳米 结构 半导体材料 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高深宽比介质纳米结构的制作方法，其特征在于：采用微缩投影式曝光在位于衬底上的介质膜表面形成纳米级分辨率图案，然后将该图案转移到介质膜上，形成具有高深宽比的介质纳米结构，所述介质纳米结构的深宽比大于1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410734929.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：除电充电装置、处理卡盒及图像形成装置
- 下一篇：感光性树脂组合物及其应用
