[发明专利]氧等离子体刻蚀聚二甲基硅氧烷表面形貌的方法无效
| 申请号： | 201410736063.3 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104445052A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 鲁从华;姬海鹏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供氧等离子体刻蚀聚二甲基硅氧烷表面形貌的方法。将制备的PDMS印章，置于氧等离子体气氛下，对PDMS印章进行刻蚀，得到表面微结构。并且详细介绍了制备具有规整微结构的CD表面微结构的方法；本发明选用氧等离子体对复制模塑技术得到的具有表面微结构的PDMS印章进行刻蚀，通过改变氧等离子体刻蚀时间，精确调控PDMS印章微结构的高度。该技术成本低、精度高、操作简便、应用范围广。在不改变PDMS印章形貌的条件下，用氧等离子体调控PDMS印章的形貌高度。采用本发明的方法制得的微结构在在光学、微电子、传感器、生物医学等很多领域有着广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 聚二甲基硅氧烷 表面 形貌 方法 | ||
【主权项】：
一种利用氧等离子体对聚二甲基硅氧烷表面形貌进行刻蚀的方法，其特征是将制备的PDMS印章，置于氧等离子体气氛下，对PDMS印章进行刻蚀，得到表面微结构。
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