[发明专利]一种工业硅精炼提纯方法有效
| 申请号： | 201410737374.1 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104495853A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 铁生年;陈明彪;梅生伟 | 申请（专利权）人： | 青海大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 810016 *** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种工业硅精炼提纯方法，其中，在真空电弧炉中，以工业硅棒为自耗阴极，以导电坩埚作为阳极，其中所述导电坩埚中盛装有精炼渣；在高温及真空条件下对电弧炉引弧后，工业硅棒自耗阴极自下端逐步熔化滴落到阳极坩埚中，工业硅熔滴中的气体杂质及易挥发杂质挥发散出，被抽真空装置抽出炉外；工业硅熔滴滴落到阳极坩埚后，通过渣-金反应及元素交换使不易挥发的杂质进入精炼渣中，当工业硅棒阴极熔化完成后，去除精炼渣，获得精炼提纯后的工业硅。该方案实现了更高的提纯效果，经提纯后，可得到5N-7N纯度的多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 工业 精炼 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种工业硅精炼提纯方法，其特征在于，在真空电弧炉中，以工业硅棒为自耗阴极，以导电坩埚作为阳极，其中所述导电坩埚中盛装有精炼渣；在高温及真空条件下对电弧炉引弧后，工业硅棒自耗阴极自下端逐步熔化滴落到阳极坩埚中，工业硅熔滴中的气体杂质及易挥发杂质挥发散出，被抽真空装置抽出炉外；工业硅熔滴滴落到阳极坩埚后，通过渣‑金反应及元素交换使不易挥发的杂质进入精炼渣中，当工业硅棒阴极熔化完成后，去除精炼渣，获得精炼提纯后的硅纯度达到5N‑7N。
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