[发明专利]碳化硅的晶体生长方法有效
| 申请号： | 201410737734.8 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104695019B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 新谷尚史;滨口优;山形则男;美浓轮武久 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B11/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 鲁雯雯;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中，作为Si‑C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚。使Si‑C溶液中含有金属元素M(M为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Lu组成的第一组、由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu组成的第二组、由Al、Ga、Ge、Sn、Pb、Zn组成的第三组的至少一组中的至少一种金属元素)，加热坩埚，使源于作为坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与Si‑C溶液接触的坩埚表面的高温区域向Si‑C溶液内溶出。由此，抑制在与Si‑C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅的晶体生长方法，其为利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法，其特征在于，作为Si‑C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚，使所述Si‑C溶液中含有金属元素M，所述M为选自以下三组的至少一组中的至少一种金属元素：第一组由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Lu组成，第二组由Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu组成，第三组由Al、Ga、Ge、Sn、Pb、Zn组成，加热所述坩埚，使源于作为所述坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与所述Si‑C溶液接触的坩埚表面的高温区域向所述Si‑C溶液内溶出，抑制在与所述Si‑C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出，从所述坩埚的上部使SiC籽晶与所述Si‑C溶液接触，从而使SiC单晶在该SiC籽晶上生长，其中，以形成所述坩埚内的Si‑C溶液的温度从上侧向下侧增高的温度分布，同时所述坩埚内的等温线呈向下侧凸出的温度分布的方式实行所述加热。
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