[发明专利]一种适于RFID的ESD保护电路及RFID芯片在审
| 申请号： | 201410737794.X | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104505816A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 丁一;吴劲;段志奎;王德明 | 申请（专利权）人： | 中山大学;广州中大微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适于RFID的ESD保护电路，包括GC-GGNMOS，所述GC-GGNMOS将固有的栅、漏交叠区的寄生电容作为耦合电容，并通过改变连接栅与地的多晶硅电阻的阻值来调整GC-GGNMOS的RC参数。本发明还公开了一种RFID芯片，包括：封装的pin脚、RFID芯片内部电路、以及位于封装的pin脚和RFID芯片之间起到保护作用的ESD保护电路，所述ESD保护电路包括GC-GGNMOS，所述GC-GGNMOS将固有的栅、漏交叠区的寄生电容作为耦合电容，并通过改变连接栅与地的多晶硅电阻的阻值来调整GC-GGNMOS的RC参数。本发明实施例降低了保护电路的鲁棒性指标，降低了保护电路的鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适于 rfid esd 保护 电路 芯片 | ||
【主权项】：
一种适于RFID的ESD保护电路，其特征在于，包括栅极接地和接电容结合的NMOSGC‑GGNMOS，所述GC‑GGNMOS将固有的栅、漏交叠区的寄生电容作为耦合电容，并通过改变连接栅与地的多晶硅电阻的阻值来调整GC‑GGNMOS的RC参数。
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