[发明专利]一种基于高阻硅衬底的LDMOS MMIC芯片

摘要

本发明公开了一种基于高阻硅衬底的LDMOSMMIC芯片，所述芯片上集成有LDMOS晶体管、电感、电容、电阻、金属连线与图形和焊盘，其特征是，所述芯片采用无外延层的P型高阻硅衬底；所述芯片正面的LDMOS源极和芯片背面的金属层通过硅衬底通孔技术连接。本发明所达到的有益效果：采用高阻硅衬底，以及硅衬底通孔技术将芯片正面的LDMOS源极与芯片背面的金属层连接。高阻硅衬底使得片上电感、电容、电阻、金属连线与图形和焊盘等的对地寄生电容和损耗降低，LDMOSMMIC的性能得到提高，从而可以减少金属互联的层数，降低成本。同时本技术能降低LDMOS晶体管N型漏极和漂移区与P型衬底之间的PN结电容，使得LDMOS晶体管的输出电容降低，增加了LDMOS器件的带宽与功率转换效率。

主权项

一种基于高阻硅衬底的LDMOS MMIC芯片，所述芯片上集成有LDMOS晶体管、电感、电容、电阻、金属连线与图形和焊盘，其特征是，所述芯片正面的LDMOS源极和芯片背面之间设置有衬底；所述衬底采用无外延层的P型高阻硅衬底；所述芯片正面的LDMOS源极和芯片背面的金属层通过硅通孔技术连接。