[发明专利]热处理制作工艺在审
| 申请号： | 201410739654.6 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN105719988A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 秦海鹏 | 申请（专利权）人： | 青岛泰威机床有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明较佳实施例是公开一种热处理制作工艺。首先提供一待加热的半导体基底，然后利用至少两个具有不同能量密度的第一加热光束及第二加热光束同时对该半导体基底进行加热。由此，本发明除了可省略现有进行热处理制作工艺时需切换不同机台的麻烦并缩短制作工艺周期，又可改善仅由半导体基底正面加热而产生图案化现象的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种热处理制作工艺，包含提供一待加热的半导体基底；以及利用至少两个具有不同能量密度的第一加热光束及第二加热光束同时对该半导体基底进行加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
