[发明专利]半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201410741246.4 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN104701289A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 赵汊济;赵泰济 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供包括具有穿透硅通孔(TSV)的芯片的半导体封装以及制造该半导体封装的方法，以通过减轻或防止在最上面的芯片处发生的破裂而提供可靠且较薄的半导体封装。可以提供半导体封装，该半导体封装包括：基板；第一芯片，堆叠在基板上，第一芯片包括多个穿透硅通孔(TSV)；最上面的芯片，堆叠在第一芯片上，最上面的芯片比第一芯片厚；第一间隙填充部分，覆盖最上面的芯片的侧表面的至少一部分同时填充第一芯片与最上面的芯片之间的空间；以及密封剂，用于密封第一芯片、最上面的芯片和第一间隙填充部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：基板；第一芯片，在所述基板上，所述第一芯片包括多个穿透硅通孔；最上面的芯片，在所述第一芯片上，所述最上面的芯片的厚度大于所述第一芯片的厚度；第一间隙填充部分，覆盖所述最上面的芯片的侧表面的至少一部分同时填充所述第一芯片与所述最上面的芯片之间的空间；以及密封剂，用于密封所述第一芯片、所述最上面的芯片和所述第一间隙填充部分。
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