[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置在审

专利信息
申请号: 201410741383.8 申请日: 2014-12-05
公开(公告)号: CN104465516A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 刘晓娣;盖翠丽;孙力;王刚 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/786;H01L27/02
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置。所述阵列基板的制造方法包括在基板上设置栅金属层的步骤和设置源漏金属层的步骤,栅金属层包括薄膜晶体管的栅极和存储电容的第一极板,源漏金属层包括薄膜晶体管的源极、薄膜晶体管的漏极和存储电容的第二极板;阵列基板的制造方法在设置栅金属层步骤和设置源漏金属层的步骤之间还包括:在该基板上设置至少一层非沟道接触界面栅绝缘层,图形化并全部或部分减薄至少一层该非沟道接触界面栅绝缘层的与该栅极和/或该第一极板对应的部分;在该基板上设置未图形化的沟道接触界面栅绝缘层,在该沟道接触界面栅绝缘层上设置薄膜晶体管的沟道层。本发明提高薄膜晶体管电学特性和存储电容,降低寄生电容。
搜索关键词: 阵列 制造 方法 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,包括在基板上设置栅金属层的步骤和设置源漏金属层的步骤,所述栅金属层包括薄膜晶体管的栅极和存储电容的第一极板,所述源漏金属层包括薄膜晶体管的源极、薄膜晶体管的漏极和存储电容的第二极板;其特征在于,所述阵列基板的制造方法在设置栅金属层步骤和设置源漏金属层的步骤之间还包括:在该基板上设置至少一层非沟道接触界面栅绝缘层,图形化并全部或部分减薄至少一层该非沟道接触界面栅绝缘层的与该栅极和/或该第一极板对应的部分;在该基板上设置未图形化的沟道接触界面栅绝缘层,在该沟道接触界面栅绝缘层上设置薄膜晶体管的沟道层。
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