[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410742327.6 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105731358B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面形成有凹槽；步骤S2：在所述凹槽里面形成MEMS图案；步骤S3：在所述MEMS晶圆的正面上形成保护层，以得到包含所述MEMS图案的空腔；步骤S4：反转所述MEMS晶圆，执行背面工艺。本发明所述方法在去除所述胶带的过程中不会对所述MEMS图案造成影响，改善了MEMS器件在去除胶带(Detape)工艺中产生损坏(Damage)的现象，提高了所述MEMS器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面形成有用于形成空腔的凹槽；步骤S2：在所述凹槽里面形成MEMS图案；步骤S3：在所述MEMS晶圆的正面上形成保护层，以得到包含所述MEMS图案的空腔；步骤S4：反转所述MEMS晶圆，执行背面工艺；步骤S5：再次反转所述MEMS晶圆；步骤S6：去除所述MEMS晶圆正面上的所述保护层。
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