[发明专利]LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201410742580.1 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105655460B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 张杰;彭遥 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种LED芯片，该LED芯片包括：衬底；在所述衬底之上依次包括缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层，其中，所述透明导电层的表面设置不同间隔的多个同心弧线沟槽；位于所述透明导电层之上与所述透明导电层电连接的P型电极，和位于所述透明导电层旁侧与所述N型半导体层电连接的N型电极。本发明的LED芯片可以有效减小电流拥堵，使得电流扩散更加均匀，发光效率得到提高，寿命长、稳定性得到增强。本发明还提出一种LED芯片的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底之上依次包括缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层，其中，所述透明导电层的表面设置不同间隔的多个同心弧线沟槽；位于所述透明导电层之上与所述透明导电层电连接的P型电极，和位于所述透明导电层旁侧与所述N型半导体层电连接的N型电极；其中，所述弧线沟槽以所述P型电极为中心，越靠近所述P型电极所述弧线沟槽的间隔越大，越远离所述P型电极所述弧线沟槽的间隔越小。
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