[发明专利]亚阈值6管存储单元

摘要

本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种亚阈值6管存储单元。其单元结构包括一个反相器，一个存储PMOS管，一个电源反馈PMOS管及两个NMOS传输管。反相器与存储PMOS管交叉耦合，形成存储器的存储核心，并且它们的电源电压由电源反馈管控制；两个NMOS传输管与分别与两个存储结点相连，构成存储单元的读、写电路；电源反馈管用于控制整个存储单元的电源供给；存储单元通过差分位线的方式，将数据写入存储单元，而通过单端位线的方式将数据读出，即通过传输NMOS管及反相器的下拉管形成的下拉通路将数据读出到位线上。本发明具有较小的面积，非常低的漏电流，及较高的低电压工作稳定性。

主权项

一种亚阈值6管存储单元，其特征在于包括：一个反相器与一个存储PMOS管；其中，反相器的电源端与虚拟电源结点相连，地端与全局地相连；存储PMOS 管的漏端与反相器的输入相连，栅极与反相器的输出相连，源极同样与虚拟电源结点相连，即，反相器与存储PMOS 管交叉耦合，形成存储单元的存储核心，反相器的输入与输出为存储单元的第一个存储结点和第二个存储结点；其中，第二个存储结点具有健全的上拉网络和下拉网络，第一个存储结点只有上拉网络，无下拉网络；一个电源反馈管；该电源反馈管的漏极与虚拟电源结点相连，源极与全局电源VDD相连，栅极与第一个存储结点相连，即，源反馈管与存储PMOS管形成一个电源闭环反馈回路；两个传输NMOS管；其中，第一个传输NMOS管漏极与第二个存储结点相连，源极与位线BL相连，栅极则与全局字线WL相连；第二个传输NMOS管漏极与第一个存储结点相连，源极与互补位线BLB相连，栅极则与写字线WWL相连。