[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410743142.7 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN104733042B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 金贵东 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C17/16 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;王莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件，其可以包括非易失性存储单元、选择信号生成单元、多个存储单元和时钟阻断单元。所述选择信号生成单元适于使用时钟生成多个选择信号；所述多个存储单元适于分别响应于所述多个选择信号存储从所述非易失性存储单元传送的数据；以及所述时钟阻断单元适于当从所述非易失性存储单元传送的数据与存储在所述多个存储单元中的数据相同时，阻断输入至所述选择信号生成单元的时钟。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：非易失性存储单元；选择信号生成单元，其适于使用时钟生成多个选择信号；多个存储单元，其适于分别响应于所述多个选择信号存储从所述非易失性存储单元传送的数据；和时钟阻断单元，其适于当从所述非易失性存储单元传送的数据与存储在所述多个存储单元中的数据相同时，阻断输入至所述选择信号生成单元的所述时钟。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410743142.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
