[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件包括：公共源极区，其形成在半导体衬底中；位线，其形成在半导体衬底之上；第一垂直沟道层和第二垂直沟道层，其耦接在位线与公共源极区之间，其中，第一垂直沟道层和第二垂直沟道层交替地布置在半导体衬底上；第一导电层，其层叠在半导体衬底之上以包围第一垂直沟道层的一侧；第二导电层，其层叠在半导体衬底之上以包围第二垂直沟道层的一侧；以及电荷储存层，其形成在第一垂直沟道层与第一导电层之间以及第二垂直沟道层与第二导电层之间。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一垂直沟道层和第二垂直沟道层，其垂直地耦接在半导体衬底和位线之间；第三垂直沟道层和第四垂直沟道层，其垂直地耦接在所述半导体衬底和公共源极线之间；第一多层导电层和第二多层导电层，其层叠在所述半导体衬底之上，以分别包围所述第一垂直沟道层的一侧和所述第二垂直沟道层的一侧；第三多层导电层和第四多层导电层，其层叠在所述半导体衬底之上，以分别包围所述第三垂直沟道层的一侧和所述第四垂直沟道层的一侧；第一电荷储存层，其形成在所述第一垂直沟道层至所述第四垂直沟道层与所述第一多层导电层至所述第四多层导电层之间；第一管道沟道层，其形成在所述半导体衬底中，以使所述第一垂直沟道层和所述第四垂直沟道层的下部耦接；以及第二管道沟道层，其形成在所述半导体衬底中，以使所述第二垂直沟道层和所述第三垂直沟道层的下部耦接，其中，所述第一多层导电层至所述第四多层导电层彼此分开。