[发明专利]低亚阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410745889.6 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN104409486A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 靳晓诗;刘溪 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军;周楠 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低亚阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管，在集电结和发射结中引入低杂质浓度的耐压层结构提升器件的正向及反向耐压能力，利用隧穿绝缘层阻抗与隧穿绝缘层内电场强度之间极为敏感的相互关系，实现更低的亚阈值摆幅和更好的开关特性。通过绝缘隧穿层上产生的遂穿电流作为集电极电流的驱动电流，对比普通半导体带间遂穿场效应晶体管实现更好的正向电流导通特性。本发明还提出低亚阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管的具体制造方法。因此显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性，适用于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 阈值 摆幅高 耐压 绝缘 栅隧穿 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
低亚阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管，其特征在于：衬底(1)采用单晶体硅晶圆作为形成器件的衬底或采用SOI晶圆作为形成器件的衬底；在衬底上方形成耐压层(2)；发射区(3)、中度掺杂基区(4)以及集电区(5)彼此之间被耐压层(2)相互隔离；重掺杂基区(6)位于中度掺杂基区(4)的上方；发射极(10)位于发射区(3)的上方；集电极(11)位于集电区(5)的上方；导电层(7)位于重掺杂基区(6)的上方；隧穿绝缘层(8)位于导电层(7)的上方；栅电极(9)位于隧穿绝缘层(8)的上方；阻挡绝缘层(12)位于低亚阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管单元之间和单个低亚阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管的上方。
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