[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201410746074.X | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105742226B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;赵超;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体制造方法，采用了TVS模板晶圆与产品晶圆形成三明治结构，其中，TSV模板晶圆中具有分布均匀的TSV结构，用于提供产品晶圆之间的电连接，形成3D互连。通过在TSV模板晶圆上设置连接部件，便于上下两片产品晶圆的互连，降低了对准难度，并且增加了3D器件电连接设计的便利程度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供具有正面和背面的TSV模板晶圆，通过光刻和刻蚀，在所述TSV模板晶圆上形成若干分布均匀的TSV孔洞，所述TSV孔洞贯穿所述TSV模板的正面和背面；在所述TSV孔洞中填充导电材料；对该TSV模板晶圆进行平坦化处理，使上述导电材料仅位于上述TSV孔洞之内；沉积绝缘层，所述绝缘层覆盖所述TSV模板晶圆的正面和背面；在所述TSV模板晶圆的正面和背面分别布置一产品晶圆，所述产品晶圆具有至少一个TSV连接部件；将所述产品晶圆与所述TSV模板晶圆进行接合，形成产品晶圆‑TSV模板晶圆‑产品晶圆的三明治结构，产品晶圆的所述TSV连接部件和所述TSV孔洞中的导电材料电连接；其中，在进行接合之前，去除部分所述绝缘层，以暴露出所述TSV连接部件对应的所述TSV孔洞中的导电材料；其中，所述产品晶圆的所述TSV连接部件的尺寸大于所述TSV模板晶圆中所述TSV孔洞的尺寸，使得所述TSV连接部件能够对应多个所述TSV孔洞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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