[发明专利]高集成凹槽绝缘栅隧穿双极增强晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410747248.4 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN104409489A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 刘溪;靳晓诗 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军;周楠 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高集成凹槽绝缘栅隧穿双极增强晶体管，对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件，利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；通过发射极将隧穿信号增强实现了优秀的正向导通特性；对比于普通平面结构，避免了发射区3、基区4和集电区5沿水平方向依次排列，因此节省了芯片面积，可以实现更高的集成度。另外本发明还提出了一种高集成凹槽绝缘栅隧穿双极增强晶体管的具体制造方法。该晶体管显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性，适用于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 凹槽 绝缘 栅隧穿双极 增强 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
高集成凹槽绝缘栅隧穿双极增强晶体管，其特征在于：采用只包含单晶硅衬底(1)的体硅晶圆作为生成器件衬底，或采用同时包含单晶硅衬底(1)和晶圆绝缘层(2)的SOI晶圆作为生成器件的衬底；基区(4)位于体硅晶圆的单晶硅衬底(1)或SOI晶圆的晶圆绝缘层(2)的上方，并具有凹槽；发射区(3)和集电区(5)分别位于基区(4)凹槽上端的两侧；发射极(9)位于发射区(3)的上方；集电极(10)位于集电区(5)的上方；导电层(6)位于基区(4)所形成的凹槽内壁底部；隧穿绝缘层(7)位于导电层(6)的上方；栅电极(8)位于绝缘隧穿层(7)的上方，栅电极(8)的宽度小于绝缘隧穿层(7)的宽度；阻挡绝缘层(11)位于高集成凹槽绝缘栅隧穿双极增强晶体管单元之间和单个高集成凹槽绝缘栅隧穿双极增强晶体管的上方。
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