[发明专利]抑制集成无源器件品质因子漂移的方法有效
| 申请号： | 201410747733.1 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105742152B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陈林;杜海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在集成无源器件中防止器件品质因子发生负面漂移的方法。包括植入预定元素的离子至衬底中，热处理衬底，利用离子促使衬底之中间隙氧析出氧沉淀，离子同步与间隙氧反应生成该元素的硅氧复合体，籍此降低衬底中的间隙氧浓度，在衬底顶面形成绝缘层并制备位于绝缘层之上的集成无源器件。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 集成 无源 器件 品质 因子 漂移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抑制集成无源器件品质因子漂移的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有第一导电类型的衬底；植入一预定元素的离子至衬底中；热处理衬底，利用所述离子促使衬底之中间隙氧析出氧沉淀，所述离子同步与间隙氧反应生成该元素的硅氧复合体，籍此降低衬底中的间隙氧浓度；在所述衬底顶面形成绝缘层并制备位于绝缘层之上的集成无源器件；其中降低间隙氧浓度用于抑制间隙氧受热扩散成氧热施主而诱发的集成无源器件品质因子发生的漂移。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410747733.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基板处理装置及基板处理方法
- 下一篇：载置台和等离子体处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
