[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
| 申请号： | 201410747792.9 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104821268B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 菊池英一郎;长山将之;宫井高广 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇 |
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| 摘要： | 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基板载置面(115)和用于载置聚焦环的聚焦环载置面(116)；静电吸盘(120)，其将晶圆背面静电吸附在基板载置面上，并将聚焦环背面静电吸附在聚焦环载置面上；导热气体供给机构(200)；导热气体供给机构独立地设有用于向基板背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部(210)和用于向聚焦环背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部(220)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，该基板处理装置在处理室内配置基板，以包围该基板的周围的方式配置聚焦环，对上述基板实施等离子体处理，其特征在于，该基板处理装置包括：载置台，其包括基座，该基座具有用于载置上述基板的基板载置面和用于载置上述聚焦环的聚焦环载置面；基座调温机构，其用于调整上述基座的温度；基板保持部，其将上述基板的背面静电吸附在上述基板载置面上，并将上述聚焦环的背面静电吸附在上述聚焦环载置面上；导热气体供给机构，其独立地设有用于向上述基板的背面供给第1导热气体的第1导热气体供给部、用于向上述聚焦环的背面供给第2导热气体的第2导热气体供给部、连接于上述第1导热气体供给部的第1气体流路和连接于上述第2导热气体供给部的第2气体流路，其中，上述第1气体流路连通于设置在上述基板载置面上的多个气孔，在上述聚焦环载置面上沿着上述聚焦环的周向形成有表面粗糙度被加工成能供第2导热气体流通的程度的部位，上述第2气体流路连通于该部位。
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