[发明专利]一种CMOS图像传感器像素单元阵列有效
申请号: | 201410748693.2 | 申请日: | 2014-12-09 |
公开(公告)号: | CN104465687B | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 顾学强;周伟;范春晖 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种CMOS图像传感器像素单元阵列,通过将介质层中采用相同金属制作的信号输出线、控制线和电源线在像素阵列各光敏元件的行间或列间上方的介质层同层交错并跨接排布,使介质层的厚度得以明显降低,由此减少了入射光线到达光敏元件之前的损耗,从而有效提高了像素单元的灵敏度,并通过围绕各光敏元件设置的光屏蔽环,有效防止了像素单元之间的光学串扰,使采用本发明的图像传感器在低照度条件下也能得到高质量的图像。 | ||
搜索关键词: | 一种 cmos 图像传感器 像素 单元 | ||
【主权项】:
一种CMOS图像传感器像素单元阵列,由多个所述像素单元按行列排布组成像素阵列,所述像素阵列包括对应每个所述像素单元的光敏元件及其上方的介质层,所述介质层排布有金属信号输出线、控制线和电源线,其特征在于,所述信号输出线在各所述光敏元件的行间上方排布,为对应行像素单元所共用,所述控制线和电源线在各所述光敏元件的列间上方并列排布,为对应列像素单元所共用,并与所述信号输出线同层布置,所述控制线和电源线与所述信号输出线之间在交叉部位相跨接;在所述光敏元件上方的所述介质层围绕各所述光敏元件设有光屏蔽环。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410748693.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的