[发明专利]一种CMOS图像传感器像素单元阵列有效

专利信息
申请号: 201410748693.2 申请日: 2014-12-09
公开(公告)号: CN104465687B 公开(公告)日: 2018-01-05
发明(设计)人: 顾学强;周伟;范春晖 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,林彦之
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种CMOS图像传感器像素单元阵列,通过将介质层中采用相同金属制作的信号输出线、控制线和电源线在像素阵列各光敏元件的行间或列间上方的介质层同层交错并跨接排布,使介质层的厚度得以明显降低,由此减少了入射光线到达光敏元件之前的损耗,从而有效提高了像素单元的灵敏度,并通过围绕各光敏元件设置的光屏蔽环,有效防止了像素单元之间的光学串扰,使采用本发明的图像传感器在低照度条件下也能得到高质量的图像。
搜索关键词: 一种 cmos 图像传感器 像素 单元
【主权项】:
一种CMOS图像传感器像素单元阵列,由多个所述像素单元按行列排布组成像素阵列,所述像素阵列包括对应每个所述像素单元的光敏元件及其上方的介质层,所述介质层排布有金属信号输出线、控制线和电源线,其特征在于,所述信号输出线在各所述光敏元件的行间上方排布,为对应行像素单元所共用,所述控制线和电源线在各所述光敏元件的列间上方并列排布,为对应列像素单元所共用,并与所述信号输出线同层布置,所述控制线和电源线与所述信号输出线之间在交叉部位相跨接;在所述光敏元件上方的所述介质层围绕各所述光敏元件设有光屏蔽环。
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