[发明专利]小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法

摘要

本发明公开了一种小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法，此小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列包含多条字元线、字线、共源线与子存储阵列，此些位元线区分为多组位元线，字线包含第一字线，共源线包含第一共源线，每一子存储阵列包含与两组位元线、一字线与一共源线连接的一第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元、第四存储单元，其中第一存储单元、第二存储单元对称配置，第三存储单元、第四存储单元对称配置，且第一存储单元、第二存储单元与第三存储单元、第四存储单元以第一共源线分别对称配置。本发明可一次选择所有操作存储单元，并利用特殊的偏压设定来实现大量存储单元的写入及擦写。

主权项

1.一种小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法，该小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列包含：多条平行的、区分为多组的位元线，该些位元线包含一第一组位元线与一第二组位元线；多条平行的字线，与该些位元线互相垂直，并包含一第一字线；多条平行的共源线，与该些字线互相平行，并包含一第一共源线；及多个子存储阵列，每一该子存储阵列连接两组该位元线、一该字线与一该共源线，每一该子存储阵列包含：一第一存储单元，连接该第一组位元线、该第一共源线与该第一字线；以及一第二存储单元，连接该第二组位元线、该第一共源线与该第一字线，该第一存储单元、第二存储单元互相对称配置，并位于该第一共源线的同一侧；一第三存储单元，连接该第一组位元线、该第一共源线与该第一字线，并以该第一共源线为轴与该第一存储单元对称配置；及一第四存储单元，连接该第二组位元线、该第一共源线与该第一字线，并以该第一共源线为轴与该第二存储单元对称配置，又该第三存储单元、第四存储单元互相对称配置，且与该第一存储单元、第二存储单元位于该第一共源线的相异两侧，其中，该第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元、第四存储单元皆包含位于P型基板或P型井区中的N型场效晶体管，且该第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元、第四存储单元皆作为一操作存储单元，则在选取所有该操作存储单元进行操作时，该操作方法的特征在于：于所有该操作存储单元连接的该P型基板或该P型井区施加一基底电压V_sub，且于所有该操作存储单元连接的该位元线、该字线、该共源线分别施加一位元电压V_b、一字电压V_w、一共源电压V_s，并满足下列条件：写入时，满足V_sub接地；V_s＝V_b＝0；及V_w为高压；及擦写时，满足V_sub接地；V_s、V_b为高压；及V_w浮接。