[发明专利]SOI衬底双栅绝缘隧穿基极双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201410749132.4 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN104409490B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 靳晓诗;刘溪 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙)21115 | 代理人： | 宋铁军,周楠 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SOI衬底双栅绝缘隧穿基极双极晶体管，在基区两侧同时具有绝缘隧穿结构，在栅电极的控制作用下使绝缘隧穿效应同时发生在基区两侧，因此提升了隧穿电流的产生率；对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件，利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性；通过发射极将隧穿信号增强实现了优秀的正向导通特性；另外本发明还提出了一种SOI衬底双栅绝缘隧穿基极双极晶体管的具体制造方法。该晶体管显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性，适用于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | soi 衬底 绝缘 基极 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
SOI衬底双栅绝缘隧穿基极双极晶体管，其特征在于：采用包含单晶硅衬底（1）和晶圆绝缘层（2）的SOI晶圆作为生成器件的衬底；发射区（3）、基区（4）和集电区（5）位于晶圆绝缘层（2）的上方，基区（4）位于发射区（3）和集电区（5）之间；发射极（9）位于发射区（3）的上方；集电极（10）位于集电区（5）的上方；由导电层（6）、隧穿绝缘层（7）和栅电极（8）依次在基区（4）的两侧的中间部分形成夹层结构；阻挡绝缘层（11）为绝缘介质；导电层（6）、隧穿绝缘层（7）和栅电极（8）均通过阻挡绝缘层（11）与发射区（3）、发射极（9）、集电区（5）和集电极（10）相互隔离。
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