[发明专利]一种改变气体流动模式的装置及晶圆处理方法和设备有效
申请号: | 201410749979.2 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN105742203B | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 倪图强;黄智林 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 朱成之 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种改变处理腔室内气体流动模式的装置及晶圆处理方法和系统;基于通过进气口引入到处理腔室的气体对放置于该处理腔室内的晶圆进行处理;在处理腔室内设置进行气体流通模式调整的气体中心环,其中包含位于进气口的下方及晶圆的上方的固定部件,和能分别处在第一位置或第二位置移动环;该移动环在第一位置时,气体通过所述固定部件设置的第一开口向下输送至晶圆;该移动环在第二位置时,气体通过所述移动环设置的第二开口向下输送至晶圆。本发明通过固定部件与可移动部件的不同组合构成的气体中心环,来改变处理腔室内气体流动模式,实现对晶圆处理效果的有效控制,气体中心环调整期间无需打开处理腔室。 | ||
搜索关键词: | 一种 改变 气体 流动 模式 装置 处理 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种改变处理腔室内气体流动模式的装置,基于通过进气口引入到处理腔室的气体对放置于该处理腔室内的晶圆进行处理,其中进气口位于处理腔室侧壁上方,处理腔室顶部包括一个顶盖,顶盖上方包括射频线圈连接到射频电源,其特征在于:所述装置是在处理腔室内进行气体流通模式调整的气体中心环;所述气体中心环,包含:固定部件,其位于进气口的下方及晶圆的上方,外周围固定到处理腔室内壁,中心包括一个第一开口,环绕第一开口的区域内开设有若干缝隙;移动环,其能分别处在第一位置或第二位置;该移动环在第一位置时,气体通过所述固定部件设置的第一开口和所述缝隙向下输送至晶圆;该移动环在第二位置时,气体通过所述移动环与固定部件组合形成的第二开口向下输送至晶圆;所述移动环在第二位置时遮挡了所述缝隙以阻止气体从缝隙处流通,所述气体通过固定部件上的第一开口向下输送至晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造