[发明专利]一种低成本氮化镓基发光二极管制备方法有效
| 申请号： | 201410750310.5 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104465922A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李天保;贾伟;许并社;梁建;余春艳;章海霞 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/00 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种低成本氮化镓基发光二极管的制备方法，以解决目前发光二极管制备中存在的成本较高、衬底难以重复利用的技术问题。一种低成本氮化镓基发光二极管制备方法，利用表面石墨烯化的薄片状TiC材料作为衬底材料，生长发光二极管外延结构，外延结构包括n型掺杂层、多量子阱发光层和p型掺杂层。本发明以表面石墨烯化的TiC材料作为衬底材料，利用石墨烯与外延层间弱的范德华力，依靠机械拉力实现衬底与外延结构的分离，实现衬底的重复使用，降低了器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 氮化 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低成本氮化镓基发光二极管制备方法，其特征在于：利用表面石墨烯化的薄片状TiC材料作为衬底材料，生长发光二极管外延结构，外延结构包括n型掺杂层、多量子阱发光层和p型掺杂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太原理工大学，未经太原理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410750310.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体发光器件
- 下一篇：一种多晶硅太阳能组件的生产方法
