[发明专利]一种背面抛光的单晶硅太阳能电池片制备方法

摘要

本发明公开了一种背面抛光的单晶硅太阳能电池片制备方法，包括化学清洗及表面织构、扩散、周边刻蚀、PSG清洗、沉积减反射膜、丝网印刷电极和烧结步骤，其中表面织构步骤包括双面抛光、背面掩膜、制绒和背面褪膜四道工序，本发明采用硅片背面抛光的新的制备方法，制备的硅片具有正面为绒面、背面为抛光面的两个截然不同表面，既增强硅片正面的陷光作用，又使硅片背表面与铝浆接触更好，新的制备方法充分利用了传统生产线现有设备，减少新设备投入，同时，消除了金属离子污染硅片的隐患，且不会对硅片正面P-N结造成不利影响。

主权项

一种背面抛光的单晶硅太阳能电池片制备方法，包括化学清洗及表面织构、扩散、周边刻蚀、PSG清洗、沉积减反射膜、丝网印刷电极和烧结步骤，其特征在于，所述表面织构步骤包括以下四道工序：A.双面抛光工序，选取单晶硅片，置于高浓度碱溶液中腐蚀去除损伤层，再用纯水清洗掉硅片表面残留的碱溶液，形成硅片的抛光面；B.背面掩膜工序，利用PECVD沉积氮化硅薄膜对抛光硅片的背面进行保护；C.制绒工序，利用低浓度碱溶液对硅片的正面进行制绒，同时硅片背面受氮化硅膜的保护而不受影响；D.背面褪膜工序，利用HF的水溶液褪去硅片背面的氮化硅保护薄膜。