[发明专利]一种硅通孔底部衬垫露出的检测方法有效
申请号: | 201410750522.3 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN104465445B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 冯光建 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人: | 殷红梅 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种硅通孔底部衬垫露出的检测方法,包括步骤(1)提供带有硅通孔结构的晶圆,对硅通孔底部沉积有绝缘层的衬垫进行刻蚀露出衬垫表面;(2)采用金属溶液对衬垫进行表面染色处理或对衬垫表面直接氧化处理使衬垫进行表面改性;(3)对表面改性处理后的衬垫采用光学仪器检测衬垫的颜色变化或是X射线衍射仪检测是否有新的金属元素;(4)表面改性处理后的衬垫在光学仪器检测下颜色由亮白色变红或变暗,判断绝缘层去除完全;X射线衍射仪检测有新的金属元素出现判断绝缘层去除完全;(5)若绝缘层未完全去除重复上述步骤直至去除完全。本发明检测方法简单,检测速度快且成本较低,操作方便准确度高。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅通孔 底部 衬垫 露出 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种硅通孔底部衬垫露出的检测方法,其特征在于:包括如下步骤:(1)提供带有硅通孔结构的晶圆,对硅通孔底部沉积有绝缘层的衬垫进行刻蚀露出衬垫表面,(2)采用金属溶液对衬垫进行表面染色处理或对衬垫表面直接氧化处理使衬垫进行表面改性;(3)对表面改性处理后的衬垫采用光学仪器检测衬垫的颜色变化;(4)表面改性处理后的衬垫在光学仪器检测下,(4.1)当衬垫为铝金属,绝缘层为二氧化硅材质采用硫酸铜溶液染色处理,处理前的衬垫表面颜色为亮白色,处理后的衬垫表面颜色变红或变暗时判断绝缘层去除完全;(4.2)当衬垫为铝金属,绝缘层为氮化硅材质采用镀镍溶液对衬垫进行表面染色处理,处理前衬垫的颜色为亮白色,处理后的衬垫表面颜色变暗时判断绝缘层去除完全;(4.3)当衬垫为铝金属,绝缘层为碳化硅材质采用氧离子等离子体对衬垫表面直接氧化处理,处理前衬垫的颜色为亮白色,处理后的衬垫表面变暗时判断绝缘层去除完全;(4.4)当衬垫为铜金属,绝缘层为氮化物材质采用碱式碳酸铜的氨溶液对衬垫表面染色处理,处理前衬垫的颜色为亮白色,处理后的衬垫颜色变暗时判断绝缘层去除完全;(4.5)当衬垫为铜金属,绝缘层为二氧化硅材质采用氧离子的等离子体对衬垫表面直接氧化处理,处理前衬垫的颜色为红色或暗红色,处理后的衬垫表面颜色变暗时判断绝缘层去除完全;(4.6)当衬垫为铜金属,绝缘层为二氧化硅材质采用硝酸银溶液对衬垫表面染色处理,处理前衬垫的颜色为红色或暗红色,处理后的衬垫颜色变亮白色时判断绝缘层去除完全;(5)若绝缘层未完全去除重复上述步骤直至去除完全。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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