[发明专利]一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法有效
| 申请号： | 201410750725.2 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104495765B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张亚光;杜宁;张辉;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，以多孔硅为原料，在氮气气氛下，依次经高温煅烧、研磨处理，得到所述的高α相氮化硅。本发明提供了一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，高效制备得到了高α相含量、粒径分布均匀的氮化硅，本制备方法工艺简单、性能可控，且生产周期短、极大地降低了生产能耗，成本低廉，适合于大规模的工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 多孔 制备 氮化 方法 | ||
【主权项】：
一种利用多孔硅制备高α相氮化硅的方法，其特征在于，步骤如下：以多孔硅为原料，在氮气气氛下，依次经高温煅烧、研磨处理，得到所述的高α相氮化硅；所述多孔硅的粒径为1～20μm，孔隙为30～500nm，比表面积大于100m2/g。
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