[发明专利]纳米SiO2表面两步改性方法有效

专利信息
申请号: 201410751158.2 申请日: 2014-12-09
公开(公告)号: CN104760960B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 赖南君;周庆;张艳;唐雷;郭欣 申请(专利权)人: 西南石油大学
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12;B82Y30/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610500 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种纳米SiO2表面两步改性方法,其包括以下步骤(1)利用纳米SiO2和3‑氨丙基三乙氧基硅烷在80~100℃的无水甲苯溶液中,反应12h以上得到氨基改性的纳米SiO2,并通过控制3‑氨丙基三乙氧基硅烷的添加量来控制纳米SiO2表面氨基的含量;(2)利用过量的顺丁烯二酸酐与氨基改性的纳米SiO2反应,在所述纳米SiO2表面上接枝上具有反应活性的碳碳双键。采用本发明的两步改性方法,不仅可以根据需要在纳米SiO2表面可以定量的接枝上具有反应活性的碳碳双键,而且可以方便地通过控制含有氨基的硅烷偶联剂的量来控制接枝上的碳碳双键的含量。
搜索关键词: 纳米 sio2 表面 改性 方法
【主权项】:
一种纳米SiO2表面两步改性方法,其特征在于包括以下步骤:(1)利用纳米SiO2和3‑氨丙基三乙氧基硅烷在80~100℃的无水甲苯溶液中,反应12h以上得到氨基改性的纳米SiO2,并通过控制3‑氨丙基三乙氧基硅烷的添加量来控制纳米SiO2表面氨基的含量;(2)利用过量的顺丁烯二酸酐与氨基改性的纳米SiO2反应,在所述纳米SiO2表面上接枝上具有反应活性的碳碳双键。
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