[发明专利]一种焊盘结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410751380.2 申请日: 2014-12-09
公开(公告)号: CN105742259A 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 邓玲;高保林;李日鑫 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/48
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种焊盘结构及其制备方法,通过按照从下至上的顺序依次沉积第一阻挡层、第一金属层、第二阻挡层覆盖剩余的第一保护层的上表面和部分刻蚀第一保护层后形成的焊盘开口的底部及其侧壁表面,从而弥补了由于保护层变厚导致的阻挡层阶梯覆盖率较差的不足,同时有效增强了对金属扩散的阻挡作用;此外,由于不会导致焊盘金属和顶部金属层之间的接触电阻升高,从而进一步提高了器件的可靠性,且本发明可适用于28nm以下的先进制程中,应用范围广。
搜索关键词: 一种 盘结 及其 制备 方法
【主权项】:
一种焊盘结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一表面设置有顶部金属层的衬底;沉积第一保护层以将所述顶部金属层的上表面予以覆盖;部分刻蚀所述第一保护层至所述顶部金属层表面以形成焊盘开口;按照从下至上的顺序依次沉积第一阻挡层、第一金属层、第二阻挡层覆盖剩余的所述第一保护层的上表面和所述焊盘开口的底部及其侧壁表面;继续制备第二金属层覆盖所述第二阻挡层的表面且充满所述焊盘开口,所述第一阻挡层、第一金属层、第二阻挡层和所述第二金属层构成一焊盘;部分刻蚀所述焊盘以暴露剩余的所述第一保护层的部分表面;继续沉积第二保护层后,部分刻蚀所述第二保护层以暴露所述第二金属层的上表面。
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