[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在审
申请号: | 201410753576.5 | 申请日: | 2014-12-10 |
公开(公告)号: | CN105731361A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 郑超;李卫刚;刘炼;王伟 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81C3/00;B81B7/02 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟;冯永贞 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1:提供MEMS晶圆,在所述MEMS晶圆的正面上形成有MEMS器件;步骤S2:反转所述步骤S1中得到的元件,并在所述反转之前或者之后研磨所述MEMS晶圆,以减小所述MEMS晶圆的厚度;步骤S3:图案化所述MEMS晶圆的背面,以形成第一开口,露出所述MEMS器件;步骤S4:在所述MEMS晶圆的背面上结合第二晶圆,其中所述第二晶圆中形成有第二开口,所述第二开口位于所述第一开口的上方,并且所述第二开口的尺寸大于所述第一开口的尺寸,以形成MEMS背孔。本发明的优点在于:1、改善了背孔的形貌。使得背孔的腔体体积可控。2、提高了产品的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种MEMS器件的制备方法,包括:步骤S1:提供MEMS晶圆,在所述MEMS晶圆的正面上形成有MEMS器件;步骤S2:反转所述步骤S1中得到的元件,并在所述反转之前或者之后研磨所述MEMS晶圆,以减小所述MEMS晶圆的厚度;步骤S3:图案化所述MEMS晶圆的背面,以形成第一开口,露出所述MEMS器件;步骤S4:在所述MEMS晶圆的背面上结合第二晶圆,其中所述第二晶圆中形成有第二开口,所述第二开口位于所述第一开口的上方,并且所述第二开口的尺寸大于所述第一开口的尺寸,以形成MEMS背孔。
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