[发明专利]一种具有高绒度的FZO透明导电薄膜的制备方法有效
申请号: | 201410754677.4 | 申请日: | 2014-12-11 |
公开(公告)号: | CN104576775A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 朱丽萍;张翔宇 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/20;H01B13/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 韩介梅 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开的一种具有高绒度的FZO透明导电薄膜的制备方法,包括如下步骤:1)采用磁控溅射法制备氟掺氧化锌薄膜;2)将步骤1)的FZO薄膜浸入体积浓度为0.01~1.0%的腐蚀性溶液中刻蚀,取出后清洗并干燥;3)将经步骤2)处理的FZO薄膜再放入磁控溅射设备生长室中,进行等离子刻蚀10-30min,获得具有高绒度的FZO薄膜。本发明采用磁控溅射法结合湿化学刻蚀、等离子刻蚀的方法制备FZO透明导电薄膜,所获得的薄膜具有较高的绒度,且电学性能明显提高,有利于其在太阳能电池中的应用,此外,本发明的制备方法工艺简单,重复性好,适用于大面积生长。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 高绒度 fzo 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有高绒度的FZO透明导电薄膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:1)制备氟掺氧化锌薄膜:将洁净的衬底放入磁控溅射设备生长室内,以Zn1‑xFxO陶瓷靶为靶材,0<x≦0.3,抽真空至真空度至少为5×10‑6Torr,加热衬底至25~500℃,向生长室中通入Ar,并调节生长气压至1~20mTorr,溅射功率为50~200W,生长15~60min,获得FZO薄膜;2)湿化学刻蚀:将步骤1)的FZO薄膜浸入体积浓度为0.01 ~ 1.0 %的腐蚀性溶液中保持1~60s,取出后清洗并干燥;3)等离子刻蚀:将经步骤2)处理的FZO薄膜放入磁控溅射设备生长室中,抽真空至真空度至少为5×10‑6Torr,加热衬底至20~200℃,向生长室内按流量比为100:5‑30通入Ar和H2,调节工作气压至10~50Pa,溅射功率为20‑100W,进行等离子刻蚀10‑30min,获得具有高绒度的FZO薄膜。
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