[发明专利]高山卵叶韭快速繁殖方法

摘要

本发明公开了高山卵叶韭快速繁殖方法，步骤：A、选取高山卵叶韭鳞茎盘为外植体；B、用灭菌的手术刀将鳞茎盘剥离至直径0.3~0.5cm按极性方向竖插于诱导培养基中；C、光照恒温培养，长出丛芽；D、将丛芽切割成数个小丛芽，转入增殖培养基中进行继代增殖培养；E、继代培养过程中的健壮小苗转生根培养基中，待长出根时开瓶炼苗，清洗后移栽到基质中，保温保湿，组培苗成活后移栽。获得的卵叶韭遗传稳定性好，繁殖占用空间小，繁殖速度快，一年一个鳞茎盘可繁殖上百万棵卵叶韭苗。有效解决卵叶韭种植中优质卵叶韭种苗的供应问题。所建立的生产体系稳定、周期较短，能满足规模化种植种苗需求。

主权项

高山卵叶韭快速繁殖方法，包括以下步骤：1）取卵叶韭鳞茎盘清洗后，剥除最外一层鳞茎，消毒；2）剥除卵叶韭鳞茎盘至直径为0.3~0.5 cm，以此鳞茎盘直接按极性方向竖插于配制好的诱导培养基中，诱导培养基的配方为：MS+6‑BA 1.5~2.5 mg/L+NAA 0.15~0.25mg/L+琼脂4000~6000 mg/L+白糖 25000~35000 mg/L； 3）光照培养，温度为18~22 ℃，光强1500~2000 Lx，每天光照10~12 h，培养30~60 d，长出丛芽；4）将丛芽切割成数个0.4cm~0.6cm小丛芽转入继代增殖培养基中，增殖培养基的配方为：MS+6‑BA0.5~1.5 mg/L+NAA 0.15~0.25mg/L+琼脂4000~ 6000 mg/L+白糖 25000~35000 mg/L；以后每隔25~35 d 继代1 次，继代培养过程中将苗高3~5 cm的小苗转生根培养基中，生根培养基的配方为：MS+NAA 0.05~0.15 mg/L +琼脂4000~6000 mg/L+白糖 30000~60000 mg/L；5）卵叶韭试管苗接种于生根培养基中30~40 d，待长3~5条根时开瓶炼苗5~7 d，将瓶内苗取出，将组培苗移栽到基质进行常规培养。