[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底、第一层间介质层以及位于第一层间介质层内的第一栅导电层；在第一栅导电层表面、器件区和外围区第一层间介质层表面形成第二层间介质层；形成覆盖于第二层间介质层表面的非晶碳层；对非晶碳层进行第一斜边刻蚀处理，刻蚀去除外围区的非晶碳层；在第一斜边刻蚀处理后的非晶碳层表面形成具有第一开口的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，沿第一开口刻蚀非晶碳层以及第二层间介质层，在器件区第二层间介质层内形成接触孔；形成填充满所述接触孔的导电插塞。本发明去除位于基底外围区的非晶碳层，避免刻蚀形成接触孔的刻蚀气体与外围区非晶碳层发生反应形成反应副产物，提高半导体结构生产良率以及芯片产出量。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底以及位于基底表面的第一层间介质层，所述基底包括器件区以及包围所述器件区的外围区，所述器件区的第一层间介质层内形成有第一栅导电层，所述第一栅导电层顶部与第一层间介质层顶部齐平；在所述第一栅导电层表面、器件区和外围区第一层间介质层表面形成第二层间介质层；形成覆盖于所述第二层间介质层表面的非晶碳层；对所述非晶碳层进行第一斜边刻蚀处理，刻蚀去除外围区的非晶碳层；在所述第一斜边刻蚀处理后的非晶碳层表面形成具有第一开口的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，沿所述第一开口刻蚀非晶碳层以及所述第二层间介质层，直至暴露出第一栅导电层表面，在所述器件区第二层间介质层内形成接触孔；形成填充满所述接触孔的导电插塞。