[发明专利]肖特基势垒制作方法及肖特基势垒在审
| 申请号： | 201410758156.6 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104392918A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 姜硕;唐冬 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛强 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基势垒制作方法，该方法包括如下步骤a.在硅片上形成低势垒金属层；b.在低势垒金属层上形成包覆所述低势垒金属层的电极金属层，形成硅片-低势垒金属-电极金属层结构；c.对所述硅片-低势垒金属-电极金属层结构进行热处理。本发明还公开了一种肖特基势垒。根据本发明的肖特基势垒制作方法和肖特基势垒利用外部的电极金属层对内部的低势垒金属层形成保护，防止低势垒金属层氧化而引起势垒参数不稳定的问题。另外，形成势垒的同时，电极金属层也同时形成，制作肖特基产品时不需要后续进行正面电极金属淀积处理。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒 制作方法 | ||
【主权项】：
肖特基势垒制作方法，其特征在于，包括如下步骤：a.在硅片上形成低势垒金属层；b.在低势垒金属层上形成包覆所述低势垒金属层的电极金属层，形成硅片‑低势垒金属‑电极金属层结构；c.对所述硅片‑低势垒金属‑电极金属层结构进行热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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