[发明专利]反熔丝现场可编程门阵列编程状况的预估方法有效
| 申请号： | 201410758848.0 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104570849A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 杨大为;孙佳佳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | G05B19/042 | 分类号： | G05B19/042 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;葛强 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反熔丝现场可编程门阵列编程状况的预估方法。该方法包括：将用于承载反熔丝现场可编程门阵列的晶元划分为多个区域；在所述多个区域内分别植入多个测试用反熔丝器件；对所述测试用反熔丝器件的上电极和下电极施加测试电压，为每个测试用反熔丝器件编程；获取各个不同区域内的编程后的测试用反熔丝器件的中间介质层的评估用电阻值，与预设的参照电阻值比较，确定所述不同区域所对应的现场可编程门阵列功能正常率；根据实际进行反熔丝现场可编程门阵列编程欲选取的区域预估编程状况。本发明通过对反熔丝FPGA的编程状况进行预估，不仅可以大幅度的提升产品质量，确保产品的可靠性，而且可以降低开发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝 现场 可编程 门阵列 编程 状况 预估 方法 | ||
【主权项】：
一种反熔丝现场可编程门阵列编程状况的预估方法，包括：1)将用于承载反熔丝现场可编程门阵列的晶元划分为多个区域；在所述多个区域内分别植入多个测试用反熔丝器件；2)对所述测试用反熔丝器件的上电极和下电极施加测试电压，将所述测试用反熔丝器件的中间介质层击穿，为每个测试用反熔丝器件编程；3)获取各个不同区域内的编程后的测试用反熔丝器件的中间介质层的评估用电阻值，与预设的参照电阻值比较，确定所述不同区域所对应的现场可编程门阵列功能正常率；4)根据实际进行反熔丝现场可编程门阵列编程欲选取的区域预估编程状况。
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