[发明专利]一种TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物及蚀刻方法有效
| 申请号： | 201410759948.5 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104480469B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 戈士勇 | 申请（专利权）人： | 江阴润玛电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26 |
| 代理公司： | 江阴义海知识产权代理事务所(普通合伙)32247 | 代理人： | 杜兴 |
| 地址： | 214400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物，组合物的组分及重量百分比分别为5～30%的过氧化氢、0.1～5%的H2SO4、过硫化物、氯化物、过氧化氢稳定剂0.005～0.3%、金属络合剂0.005～0.3%、表面活性剂0.005～0.2%、0.001~1%唑类添加剂以及余量水，过硫化物和氯化物的重量百分比之和为0.01～0.5%。该TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物对铜钼层叠膜蚀刻均匀、蚀刻速率适中且使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 tft 层叠 蚀刻 组合 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述组合物的组分及重量百分比分别为：过氧化氢10～20％、H2SO40.3～3％、过硫化物、氯化物、过氧化氢稳定剂0.01～0.1％、金属络合剂0.01～0.1％、表面活性剂0.01～0.1％、0.005～0.5％唑类添加剂及余量水，所述过硫化物为过硫酸钾、过硫酸铵、过硫酸钠和过硫酸氢钾中的一种，所述过硫化物和氯化物的重量百分比之和为0.03～0.3％，所述金属络合剂为氨基羧酸盐类金属络合剂或选自氨三乙酸、肌氨酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸和甘氨酸中的至少一种。
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