[发明专利]一种晶体管的制备工艺在审
| 申请号： | 201410760232.7 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104538306A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 王迪 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 刘付兴 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种晶体管的制备工艺，包括利用激光照射的方式，从基板无膜一侧的进行照射，使非晶硅熔融形成多晶硅的步骤M；还包括于基板上方顺次沉积缓冲层、非晶硅层、绝缘层；对非晶硅层和绝缘层进行光刻以形成硅岛；于硅岛的上方沉积栅金属层；沉积第一层间介电层，并形成接触孔；进行重掺杂；进行后续制程形成源/漏极、第二层间介电层、氧化铟锡阳极和像素限定层等步骤。本发明在非晶硅层上方沉积覆盖层，降低晶化后多晶硅粗糙度。另外，本发明中激光照射的晶化步骤可在非晶硅a-Si沉积完成之后和S/D重掺杂之前的任意步骤中进行，增加了工艺灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶体管的制备工艺，其特征在于，包括步骤A：于一基板上沉积缓冲层，并在所述缓冲层上沉积非晶硅层；步骤B：于所述非晶硅层上沉积覆盖层；所述步骤A之后还包括步骤M：用激光照射基板无膜一侧，使非晶硅熔融形成多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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