[发明专利]碳纳米管阵列的制备方法和碳纳米管膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410761006.0 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN105712314B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/158 | 分类号： | C01B32/158 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳纳米管膜的制备方法，首先提供一代替基底及多个碳纳米管阵列，该多个碳纳米管阵列分别设置在多个生长基底的表面；将该多个碳纳米管阵列设置在该代替基底的同一表面，并使该代替基底与该多个碳纳米管阵列之间具有液态介质；使液态介质固化变为固态介质；使该代替基底与该多个生长基底相远离，从而使该多个碳纳米管阵列与该多个生长基底分离，并转移至该代替基底；通过升温使该代替基底与该多个碳纳米管阵列的第二表面之间再次形成一液态介质；将该多个碳纳米管阵列在该代替基底表面滑动，使该多个碳纳米管阵列的侧面相互接触，通过范德华力结合，形成一拼接阵列；以及从该拼接阵列拉取该碳纳米管膜。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管拼接阵列的制备方法，包括以下步骤：S1，提供一代替基底及多个碳纳米管阵列，该多个碳纳米管阵列分别设置在多个生长基底的表面，该碳纳米管阵列靠近该生长基底的表面为第一表面，远离该生长基底的表面为第二表面，该碳纳米管阵列的形态能够使得碳纳米管膜从该碳纳米管阵列中连续地拉出；S2，将该多个碳纳米管阵列的第二表面设置在该代替基底的同一表面，并使该代替基底与该多个碳纳米管阵列的第二表面之间具有液态介质；S3，使位于该代替基底与该多个碳纳米管阵列的第二表面之间的液态介质固化变为固态介质；S4，通过移动该代替基底与该多个生长基底中的至少一方，使该代替基底与该多个生长基底相远离，从而使该多个碳纳米管阵列与该多个生长基底分离，并转移至该代替基底；S5，通过升温使该代替基底与该多个碳纳米管阵列的第二表面之间再次形成一液态介质；以及S6，将该多个碳纳米管阵列在该代替基底表面滑动，使该多个碳纳米管阵列的侧面相互接触，通过范德华力结合，形成一拼接阵列，该拼接阵列的形态能够使得碳纳米管膜从该拼接阵列的中连续地拉出。
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