[发明专利]基于单粒子效应的仿真方法和仿真装置在审
| 申请号： | 201410764328.0 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104573187A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 耿超;姚文娇;李洛宇;李孝远;罗春华;刘天奇 | 申请（专利权）人： | 深圳市国微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体器件领域，提供了一种基于单粒子效应的验证方法和仿真装置；所述基于单粒子效应的仿真方法包括：向半导体器件发射粒子，并确定所述粒子在所述半导体器件的入射角度；所述粒子入射所述半导体器件之后，采集与所述粒子在所述半导体器件中能量沉积相关的能量沉积数据；基于所述能量沉积数据和所述入射角度，建立入射角度-能量沉积的关系曲线，基于所述入射角度-能量沉积的关系曲线分析单粒子效应。通过该所述入射角度-能量沉积的关系曲线分析单粒子效应。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 粒子 效应 仿真 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种基于单粒子效应的仿真方法，其特征在于，所述基于单粒子效应的仿真方法包括：向半导体器件发射粒子，并确定所述粒子在所述半导体器件的入射角度；所述粒子入射所述半导体器件之后，采集与所述粒子在所述半导体器件中能量沉积相关的能量沉积数据；基于所述能量沉积数据和所述入射角度，建立入射角度‑能量沉积的关系曲线，基于所述入射角度‑能量沉积的关系曲线分析单粒子效应。
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