[发明专利]一种晶体管激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 201410764445.7 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104485578A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 梁松;朱洪亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管激光器及其制作方法。所述方法包括：选择一衬底；依次生长缓冲层、下集电极层、集电极层、基极层及电流阻挡层；选择性腐蚀掉一部分电流阻挡层材料；生长有源层、发射极层及接触层；腐蚀制作发射极脊波导至电流阻挡层；器件基极层材料与有源层材料间的电流阻挡层可以作为发射极波导刻蚀的停止层，从而可以高精度的控制波导高度。通过选择性腐蚀掉发射极波导下的电流阻挡层材料，形成了对载流子侧向扩散的限制，有利于减少载流子在有源区侧壁的非辐射复合。这些措施可明显提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、选择一衬底；步骤2、在衬底上表面依次生长缓冲层、下集电极层、集电极层、基极层及电流阻挡层；步骤3、选择性腐蚀掉一部分电流阻挡层；步骤4、依次生长有源层、发射极层及接触层；步骤5、在被腐蚀掉一部分电流阻挡层区域之上腐蚀制作发射极脊波导至电流阻挡层；步骤6、分别制作发射极电极、基极电极和集电极电极。
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