[发明专利]具有复合区的半导体器件有效
| 申请号： | 201410764738.5 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104716169B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | J·G·拉文;R·巴布斯克;P·坎沙特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/861;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括在半导体主体中的漂移区。电荷载流子转移区与该半导体主体中的漂移区形成pn结。控制结构在去饱和周期期间将复合区电连接至漂移区，并且在去饱和期间以外使复合区与漂移区断开连接。在去饱和周期期间复合区减少在漂移区中的电荷载流子等离子，并且减少反向恢复损耗，从而不产生不利的阻断特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 复合 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括漂移区，其位于半导体主体中；电荷载流子转移区，其与所述半导体主体中的所述漂移区形成pn结；复合区；以及控制结构，其被配置为在去饱和周期期间将所述复合区电连接至所述漂移区，并且在所述去饱和周期之外使所述复合区与所述漂移区断开连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410764738.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
