[发明专利]一种制备二硫化钼薄膜的方法在审
| 申请号： | 201410766731.7 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104498878A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 陈远富;戚飞;刘兴钊;李萍剑;郑斌杰;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李玉兴 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制备二硫化钼薄膜的方法，在真空环境中，以钼金属颗粒和硫粉末为原料，通过双源蒸发法在目标基底上制备MoS2薄膜，调整钼、硫源的蒸发速率使Mo原子和S原子的含量之比为1:2，使得Mo原子和S原子在加热的衬底上反应生成MoS2分子，获得层数可控的二硫化钼薄膜；本方法通过控制电子束流、热蒸发温度、生长时间，来实现二硫化钼薄膜的层数(厚度)可控；本发明操作简单，厚度可控，可以制备出大面积的、高纯度的单分子层、双分子层及多分子层二硫化钼薄膜；该方法具有反应温度低、节约能源、效率高、操作简单、可控性好、重复性好、批量制备的特点，为二硫化钼在电学和光学方面的应用提供了可靠的样品制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 二硫化钼 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备二硫化钼薄膜的方法，其特征在于：在真空环境中，以钼金属颗粒和硫粉末为原料，通过双源蒸发法在目标基底上制备MoS2薄膜，调整钼、硫源的蒸发速率使Mo原子和S原子的含量之比为1:2，使得Mo原子和S原子在加热的衬底上反应生成MoS2分子，获得层数可控的二硫化钼薄膜。
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