[发明专利]OLED显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201410768553.1 | 申请日: | 2014-12-12 |
公开(公告)号: | CN104518004A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 张合静;苏智昱 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供的一种OLED显示装置及其制造方法,通过设置所述白色子像素区中对应于底层走线上方的该部分第二绝缘层的厚度大于白色子像素区中的其它部分第二绝缘层的厚度,增加了白色子像素区中底层走线与第一电极之间的垂直距离,能够防止白色子像素区的第一电极与底层走线发生短路或过流,所述OLED显示装置的制造方法简单,易于操作,制备的OLED显示装置能够防止白色子像素区的第一电极与底层走线之间发生短路或过流,提高OLED显示装置的制程良率。 | ||
搜索关键词: | oled 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种OLED显示装置,其特征在于,包括:红色子像素区、绿色子像素区、蓝色子像素区(20)、及白色子像素区(40);其中,所述白色子像素区(40)包括:第一基板(1)、设于所述第一基板(1)上的底层走线(2)和薄膜晶体管(3)、设于所述底层走线(2)、薄膜晶体管(3)和第一基板(1)上的第二绝缘层(4)、设于第二绝缘层(4)上的第三绝缘层(5)、设于第三绝缘层(5)上的第一电极(6)、设于所述第一电极(6)上的有机层(7)、设于所述有机层(7)上的第二电极(8)、及设于第二电极(8)上的第二基板(9);所述白色子像素区(40)中对应于底层走线(2)上方的该部分第二绝缘层(4)的厚度大于白色子像素区(40)中的其它部分第二绝缘层(4)的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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